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Yonhap News報導，南韓記憶體製造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，將開始量產一款採54奈米製程技術的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節省30%，運算速度則較DDR2增加近1倍。
Hynix表示，該公司計畫將能源節省技術應用於未來推出的產品，包括即將在本季稍晚量產的44奈米製程2GB DDR3。此外，Hynix並計畫在09年底前將DDR3產能比重由目前的30%提升至超過50%。
根據科技市調機構iSuppli統計，1GB DDR3 DRAM佔總體DDR3市場的比重目前已達87%。
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